STマイクロエレクトロニクスは、卓越した電力効率と信頼性を特徴とするSiCパワーMOSFETの新製品SCT20N120を発表した。

同製品は、電気・ハイブリッド自動車用インバータ、太陽光・風力発電システム、高効率駆動機器、電源、スマートグリッド機器など、消費電力が重視される幅広いアプリケーションに対応する。

1200V耐圧パワーMOSFETの新製品であるSCT20N120は、最高200℃の接合部動作温度範囲で290mΩ以下のオン抵抗を実現している。また、ターンオフ損失およびゲート電荷が非常に安定しているため、全温度範囲において一貫して高いスイッチング性能が維持される。これにより、導通損失とスイッチング損失の低減および超低リーク電流につながるため、放熱設計が簡略化されると共に、高い信頼性も確保される。

詳しくはこちら（http://www.st.com/web/jp/catalog/sense_power/FM100/CL2062/SC1704）をチェック。