2014年12月01日 15:02

STマイクロエレクトロニクスは、高度なトレンチゲート・フィールドストップ技術を採用した新しい1200V耐圧IGBTであるMシリーズを発表した。同製品は、太陽光発電システム用インバータ、溶接機、無停電電源、産業用モータ等のアプリケーションにおいて、堅牢性と電力効率を大幅に向上させる。

この新しいIGBTは、導通特性とターンオフ特性が高度に最適化されている他、ターンオン損失を低く抑えて、ハードスイッチング回路に最適である。また、拡大された動作温度範囲やラッチアップが発生しない安全動作領域、10μsの短絡耐時間が、過酷な周辺環境や電気的環境における堅牢な性能を保証する。

Mシリーズが採用している第3世代技術には、トレンチゲート構造の最先端設計と最適化された高耐圧IGBTアーキテクチャが含まれている。

詳しくはこちら(http://www.st.com/igbt)をチェック。